双极型晶体管
电压信号如何放大
在电路的学习中,知道四种受控源:
- 电压控制电压源:对应于变压器,但变压器只能放大高频信号。
- 电流控制电压源: 不存在这种器件
- 电压控制电流源:对应于结型场效应管 JFET,金属氧化物半导体场效应管 MOSFET(暂不讨论)
- 电流控制电流源:电流和电压通过电阻进行转换,对应于双极型晶体管 BJT
由此可实现电压信号的放大。
认识双极型晶体管
由半导体工艺制成,其中 P,N 代表 P 型半导体,N 型半导体。从中引出管脚,即电极,如上图所示。be,ce 之间类似于一个 PN 结,单向导通。其方向由箭头方向指明。
基本电流关系
定义流经 b 极的电流 为
放大状态时,集电极电流唯一受控于基极电流,与 ce 两端电压无关:
NPN 型晶体管的伏安特性
输入伏安特性
指基极电流
在 multisim 中仿真,搭建如图所示电路,直流扫描发射结电压,从 0-1V,增量为 50mv;直流扫描
上述结果表明:
大于 0 后对输入特性曲线几乎毫无影响,当其等于 0,曲线向左移动。 - 发射结电压
对 影响显著。因为 与 ,其中 是反向饱和电流,每个晶体管都不一样,很小。 是热电压,与绝对温度成正比,27 摄氏度时大概为 26mv。显然,当 U_{\mathrm{BE}}远大于 ,成指数上升趋势。
输出伏安特性曲线
指在确定的基极电流
同样的仿真电路,直流扫描两个电压:
按上述电流关系
- 在饱和区
随 增大而增大 - 在放大区,近似满足电流关系
与 成正比,与 无关 - 在截止区,
有着极小的漏电流
搭建一个放大电路
用晶体管搭建一个电路,实现对一个微小的正弦信号放大。首先给基极一个固定电压,在此基础上叠加一个微小的正弦信号,这个电压作用在输入特性曲线上,产生一个变化电流的波形,
图八中存在上高下矮的问题,在用仿真软件搭建实验电路的过程中,主要问题是怎样才能使图像不变形,因为我不知道怎么让三极管工作在放大区。
下图是随意设置的一些参数,可以看到,十分的不和谐。这与理想状况出入有点大。
静态和信号耦合
静态和动态
根据欧姆定律,在知道器件电压和电流的情况下我们可以算出电阻。电压和电流动态改变,我们可以等效为一个动态电阻,大小为电压改变量与电流改变量的比值。对应到输出特性曲线上,静态电阻等于该点处与原点连线的直线斜率的倒数,动态电阻是切线斜率的倒数。
对于一个晶体管来说,放大系数也有动态静态之分,幸运的是差距不大,一般应用下是假设不变的。
静态工作点
指的是放大电路的电源供电正常,在没有输入信号的状态,在输入输出伏安特性曲线上表现为一个静态的点。该点处的电压电流加下标 Q 来表示。有两个重要原因需要确定静态工作点:
-
从输入端看,发射结电压可正可负,如果是零或者负的电压,三极管不导通
=0,此时输出也为 0,所以下图肯定不行。 -
从输出端看,三极管工作区域不能在截止区和饱和区,因此,取一个折中的静态工作点,即
的一半。可以用下图实现
阻容耦合
在上面的仿真电路中,我就试图将直流电压源串联到交流信号源中,但实际情况是无法实现的,这是理想化的——除非它是一个变压器的副边。因为我们日常使用电源都是单端输出,负端是默认接地的,二者不能串联。
因此,给出了以上电路图解决了上述问题,我们来捋一下:
- 在不影响静态工作点的情况下,将信号耦合到了输入当中:电容通交流隔直流。
- 调整
可以控制静态工作点输出电压大小在 的一半附近。 - 输出加一个电容,隔绝了直流对负载的影响
总的来说,直流电源和电阻的作用就是营造一个信号放大的环境,阻容耦合的缺点是不能放大直流信号。除此之外,还有变压器耦合,直接耦合,光电耦合等。
然后我搭了下面的电路:
可以看到:
- 输入输出信号的相位不一致
- 的确被放大了
- 放大信号的确有点上矮下高
实现的过程比较繁琐,注意以下之处:
-
应先确定静态工作点,multisim 里有计算的仿真按钮,自己也可以手动计算。首先要保证处于放大状态,这个
就决定了信号放大的阈值 应大于 0.3,即此处电压幅值应小于 。 再根据这个最大电压幅值估算输入信号的幅值,应该是很小的,因为放大倍数一般很大。
- 输入信号如果很大,在三极管基极信号就变形了
- 输入信号如果很大,在三极管基极信号就变形了
-
三极管的参数可以手动修改,在 edit model 里。
-
相位变化在加了电容后就改变了,加了一个电容变了 90 度,后面输出不知道变了多少
-
放大过程并不是上面那张图一致的变化,这只是个原理罢了。实际上根据仿真,加载发射极的电压比信号源还小。
三极管的工作状态
- 截止状态:基极几乎没有电流,一般认为发射结,集电结均反偏时处于此状态。此时都不导通,图就不贴了。
- 放大状态:发射结正偏,集电结反偏。满足电流基本关系。
- 饱和状态:此时
,且随 变化,任何状态下,只要 就处于饱和状态,此时两电流几乎不增加。一般情况下,集电结,发射结均正偏为饱和状态。我们在原电路中将一个电阻改为 5K,算静态工作点 是负数,显然不处于放大状态,所以 ,处于饱和状态,算出 ,仿真后等于 2.374.
由图得并没有怎么放大。
- 倒置状态:指三极管接反了,发射结反偏,集电结正偏,这样不会烧了晶体管,但
下降严重。
如何判断三极管工作状态
放大结构:如果三极管实际电流方向和我们期望电流方向一致,即为放大结构。
图解法解静态工作点
静态工作点有三种解法:
- 解析法:前提是知道输入输出特性曲线的函数,联立方程求解
- 估算法:核心是假设
,但这个估算是有误差的,结果不太准确。 - 图解法:在特性曲线上画图,凭观察读出静态工作点的大致读数。
对于一个这样的电路:
静态工作点
由图可以看出:激励电压和两个电阻决定了静态工作点工作状态,设计时先获取输入输出特性曲线,便可设计出适合的放大电路。
两部件串联的图解方法
电阻串联二极管
作为图解法的延申,看看这个电路如何用图解法解决
首先要满足电阻的伏安特性曲线
两晶体管串联
如果你对两个二极管分别进行计算,你将会得出两晶体管集电极电流并不相等的结论。这显然是错误的。
按相同的方法画出输出特性曲线,两个电阻控制基极电流,从而控制图像的形状。总可以找到适合的电阻值,使得 Vout 在 0-10V 之间,也即控制交点的位置。显然,找到这个点比较困难,一次一次试总可以找到。
动态求解方法
以上学习了三个知识点:
- 晶体管的伏安特性
- 晶体管的工作原理和静态的重要性,学会了计算静态工作点
- 输入信号如何耦合到放大电路中
下面我们学习,对于一个输入信号耦合到放大电路中,究竟放大了多少——动态求解方法。这是一种由输入变化量求取输出变化量的方法,区别于直接用公式带,相较来说更简单。其核心是:
- 输入输出都取变化量
- 电路中电压不变点接地,电流不变点断路:由叠加原理,不变的电压,电流不会产生变化量
- 电路中某一元件的某一段伏安特性可以用直线代替,相当于动态电阻
例:当
当然可以用笨办法写出
由此可得:
双极型晶体管的动态模型——微变等效模型
理论上说,晶体管的高频等效模型包含低频模型,但低频模型更简单,所以拿来介绍。
对于上图电路,建立等效模型即弄清原理用基本元件进行描述,使得输出与原输出等价。
-
首先,在静态工作点
处 存在静态值,由于输入信号的作用,有峰峰值 的变化量,然后有 的变化量,这个变化可用 来近似表示,由图中可以看出 点的动态电阻,即为此处斜率的倒数,当然前提建立在输入信号幅值很小的基础上。由此,对伏安特性曲线上的任何一个静态点有: 经研究,在放大状态下的动态电阻可以近似表示为:
,其中 称之为体电阻,几欧到几百欧不等,一般取 40 欧; 常温下为 26mv。此时相当于一个关系 -
从
到 ,可以用电流控制电流源来表示
双极型晶体管放大电路的动态分析
动态分析的三个重要指标
- 电压放大倍数:
, - 输入电阻:输入电压变化量除以输入电流变化量,等效于从输入端看进去的输入电阻
,我们希望输入电阻越大越好,因为可以让更多的电压到达下一级。 - 输出电阻:同上,我们希望越小越好,因为可以让更多电压到负载上。
动态分析的步骤
-
画出微变等效模型:
- 电压不变点进行接地
- 大电容短接,小电容开路
- 晶体管用动态等效模型代替
- 画成顺眼的电路图
-
求解放大倍数,输入电阻,输出电阻
- 在求解放大倍数时,把输入输出都表示成含
的表达式,消去即可。 - 输入电阻靠眼睛看就行,过于复杂的可以假设
已知,计算电路中的电流即可 - 电流控制电流源可以改为电压控制电压源
- 在求解放大倍数时,把输入输出都表示成含
动态指标的实验测量法
获得三大动态指标:
- 理论分析法——准确度不高
- 实验测量法——可靠但操作困难
- 仿真测量法——可信度高,操作简单:multisim,PSPICE,TINA-TI
放大倍数的实验测量法
- 放大电路供电,输入端接正弦信号,考虑到隔直电容的大小,一般选 10kHz 的信号频率(此频率下,10
的电容容抗为 1.59 欧,可近似认为短路)。当放大倍数较大时,为了避免失真,一般选用正弦波幅度 1-10mV 的输入信号。 - 示波器观察输出,以不失真为目标,输出信号频率应和输入信号频率一致。
- 用晶体管毫伏表测量输入信号有效值,测量输出信号的有效值,二者就可得出放大倍数。粗略估计时,在示波器上直接读取也可。
输入电阻的实验测量法
一个电路的输入电阻是可能和负载有关的,因此,必要时应注明是否带负载,负载大小是多少。
测量电路如下:
-
放大器供电,选择 R 与输入电阻相差不大,以保证测量的准确性。信号源选择与放大倍数测量一致。
-
示波器观察,保证其正常
-
用晶体管毫伏表测量
, 出电压的有效值,则有: ,这可以用输入电流在 R, 上相等来列表达式。
输出电阻的实验测量法
- 放大器供电,接上信号源。
- 开关 S 断开的情况下示波器观察,保证其正常。
- 有:
,为了获得更加准确地测量, 过大过小都不行,应先预估其值,这是准确的关键。一种改进的方法,用一个电位器代替负载电阻,不断调节,使 ,拿下电位器,测电位器的阻值即可。
共基极,共集电极放大电路及 PNP 管电路
区分
从放大机理上来看,能够让
- 共射极放大电路:b 输入,c 输出
- 共集电极放大电路——射极跟随器:b 输入,e 输出
- 共基极放大电路:e 输入,c 输出
共基极放大电路
为保证有足够的电压增益,一般在基极增加大电容
动态等效电路和戴维南等效电路如下:
若信号源内阻为 0,列写节点电压方程有:
这说明,共基极放大电路在不考虑信号源内阻的情况下,具有与共射极放大电路大小相同的电压增益 R 是极性力同相放大而共射极电路是反相放大 。
输入电阻:
输出电阻和共射极放大电路相同
共集电极放大电路
,其中, ,多数情况下: ,则放大倍数接近为 1,因此叫做射极跟随器。 ,输入电阻远大于另外两个电路。 ,输出电阻很小,一般为几欧到几十欧。 - 不具备放大能力,但具备电流放大能力和大的输入电阻,在扩流和阻抗匹配中有广泛应用
需要特别指出的是,共射级共基极电路都有如下特点:输入电阻与负载无关,输出电阻与信号源内阻无关。但共集电极电路却不是如此。它的输入电阻与负载大小有关,而输出电阻与信号源内阻有关,在多级电路级联时,需要特别注意 。
PNP 管放大电路
方法一:
方法二:所有求解值都是反的,所有图都从第一象限到第三象限。
大信号情况下的失真分析
当输入信号幅值过大,产生失真,称为大信号失真。其明显的原因是输入信号峰值使晶体管处于饱和区或截止区。第二个原因是由于晶体管输入特性曲线是指数级增长,大信号导致不能用一段直线来描述特性曲线,从而产生变形。
失真电压裕度
在一个晶体管放大电路中,输入为正弦波电压信号,输出所能达到的最大不失真正弦信号的幅度,陈伟失真电压裕度。
当确定了静态工作点 Q(
- 饱和失真电压裕度
为: ,其中 是饱和管压降,小信号时一般取 0.3V 左右 - 截止失真电压裕度
: , 是指输入信号加载的情况下, 所能达到的最大电压。
静态负载线和动态负载线
对于这样一个电路:
给定
当确定静态工作点后,一旦加载输入信号,任一时刻晶体管摆脱 Q 点,形成新的(
在下图用绿色线标出,可知上述电路图的两条负载线时重合的。
不重合的静动态负载线
对于较高频率的输入信号,
,而在此电路中有
这样就导致了失真电压裕度变得更小。
放大电路的综合分析
四个电阻提供静态工作点的好处
下图是共射极放大电路,其中
我们写出静态求解过程:
- 当
,有
看见没有,
-
不怕温度漂移,因为
会随着温度变化 -
不怕晶体管的分散性,这是晶体管 BC817-16 的数据手册中的截图,其中
就是 ,厂家只能保证该值的一个范围。
如果不这样设计电路,而纠结于多了两个电阻的成本,显然得不偿失。
三电阻静态电路
静态求解:
- 当
,有
这样依然与
单管放大电路的静态工作点选择
- 对
来说,应该选择动态负载线的中心位置。两级的晶体管还要考虑驱动问题。 - 对于
来说,由于要选择低功耗设计,则应该尽量小。但势必要选择大电阻,引入更多噪声,也导致输入电阻的增大。因此,抗干扰和低功耗是矛盾的关系。
静态动态分离,增益改变
有表达式可知,静态动态都走同一样的电路,这就导致二者相互影响,采用差动放大电路可以实现动态和静态分离。另一种方法是利用电容器将而这分离,而上图的
多级放大电路
目的:增大放大倍数,增加输入电阻,减小输出电阻,扩展频率带,增大输出功率等
耦合方式
- 直接耦合:用导线 m 电阻,二极管(不用,电容,变压器,光敏管)连接两级电路。优点是:可以放大直流和低频信号。缺点是:静态动态工作点都不稳定且相互影响,计算比较麻烦。
- 阻容耦合:优点:两级电路相互独立,并且静态工作点独立稳定。缺点:不能放大直流信号,对低频具有强大的衰减作用。
- 变压器耦合: 与阻容耦合类似,多用于高频电路。
- 光电耦合: 将前级输出加载到光电管上,之后传递给后级电路。多用于数字电路,模拟电路用的较少。
不同组态放大电路的组合方式
共集电极电路:多用于输入输出级(输入电阻大,输出电阻小)
共射极,共基极电路:多用于中间级(有较大的电压增益)
阻容耦合放大电路求解
将电路改为上图所示,每一级的静态相互独立,依次计算即可。